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　　智能手机△□、可穿戴设备、物联网设备（摄像头等）迅速崛起★★□■◁○，行业一般采用由固态技术协会（JEDEC）制定的产品标准-=▼-，极大地带动了对DRAM的需求。也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。除传统PC之外-▼◁△-▪，积鼎 VirtualFlow 案例 环路热管相变换热模拟，贞光科技深耕汽车电子工业及轨道交通领域十余年，超过了93%。

　　关键时期，韩国政府出手“救市▽●◁-○”，总共投入近3-△.5亿美金▼◁▪▪，并且以政府名义背书，给三星拉来了20亿美元的个体募资•◇•▲▪◇。

　　1986年…■，日本存储器产品的全球市场占有率上升至65%◇▪▲▼，而美国则降低至30%。

　　1973年，美国德州仪器TI）、莫斯泰克（Mostek）等厂商先后进入DRAM市场。

　　三星建厂推出64K DRAM时-◁●▼△▲，生产成本是1.3美元/片。面对行业寒冬，三星不仅没有收缩投资，反而开始逆向投资，扩大产能。

　　韩系方面▪□◁，韩国现代内存与LG半导体合并，成立现代半导体，后来，又从现代集团拆分（2001年），改名海力士（Hynix）。

　　早在1972年□◇=■，ITU-T（国际电信联盟电信标准分局）前身CCITT（国际电信咨询机构）就提出了第

　　进入1960年代后，随着计算机技术的发展△▲◇▷▲，电子行业开始了将集成电路技术用于计算机存储领域的尝试。

　　1976年，莫斯泰克公司又推出了MK4116，采用了POLY-II（双层多晶硅栅）工艺，容量达到16K。这款产品获得了巨大成功…▷▽□◆，一举逆转了市场竞争格局，将自己的DRAM市占率提升到了75%○◆…◇。

　　1970年代，日本经济高速崛起●●◁●▷★。为了在全球科技产业链占据有利位置，他们在半导体技领域进行了精心布局▽…◆□△。

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　　作为行业龙头，三星率先从封装角度实现了3D DRAM◆•◆●•。他们采用TSV封装技术☆◇=，将多个DRAM芯片堆迭起来，从而大幅提升单根内存条容量和性能。后来，各个厂商纷纷跟进，3D DRAM成为主流。

　　1993年▽▪△◆▪，全球半导体市场又开始转弱☆□◆。这时，三星故技重施，采取了第二次◇•=●“反周期投入▽-•…”●★▽。他们投资兴建8英寸硅片生产线，用于生产DRAM。

　　当时○…，半导体工艺主要有两个研究方向，分别是双极型晶体管和场效应（MOS）晶体管▼-=▪•○。英特尔自己也不知道哪个方向正确，于是，成立了两个研究小组，分别跟进两个技术方向。

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　　联合研发体一共设有6个实验室■◁△★，专门进行高精度加工技术、硅结晶技术、工艺处理技术、监测评价技术、装置设计技术等领域的研究。

　　这家公司，就是1968年罗伯特·诺伊斯（前文提到的硅集成电路发明人）和戈登·摩尔（摩尔定律的提出者）等人共同创办的英特尔Intel）。

　　当时，日美激战正酣，DRAM市场普遍不景气，价格大跌。DRAM芯片的价格从每片4美元（1984年）☆-○▼，跌到了每片0.3美元（1985年）☆▽◁。

　　在这种强烈的周期性规律下，想要长期生存下去，是一件非常困难的事情。DRAM厂商需要有强大的现金流和融资能力=▪▷▼•□，能够维持高强度的研发支出▪○◁▷，保持团队的稳定。

　　早在日本启动VLSI项目的时候▲◆▽，韩国政府也没闲着。他们在庆尚北道的龟尾产业区建立了韩国电子技术研究所（KIET）▼□◆▲•■，高薪笼络美国的半导体人才，集中研发集成电路关键技术。

　　后来，日本半导体被美国干翻，加上PC电脑进入热销期带来的行业繁荣，使得三星顺利翻盘，迎来业绩增长。

　　合肥长鑫••=▷，是国内DRAM存储芯片的龙头企业★=•■…。他们的DRAM技术主要来自于已破产的德系DRAM厂商奇梦达，以及日系厂商尔必达。

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　　霍尼韦尔公司收到这批DRAM芯片后，发现工艺上存在一些问题。于是，他们找到了一家新成立的公司，请求帮助。

　　简单来说▼●，反周期投入▪★=▼…，就是利用行业周期性发展的特点，在行业进入低谷时★▪▽•△-，在竞争对手都收缩规模时，反其道而行之，加大投入，扩大产能◆○▽•○=，进一步打压价格，从而让对手加剧亏损，甚至倒闭。

　　这次尝试，最具代表性的◇=▪◇，就是武汉、合肥和厦门三大存储器基地。这些基地借助国家和地方层面的产业政策▼△-☆，投入了大量资本（超过2500亿人民币），发展半导体存储技术●☆，培养人才。

　　中国是全球半导体存储器的重要市场之一，也是全球半导体存储厂商的▼▪■□…◇“必争之地”▷◇◆●◆。

　　不久后，1969年-••▽，美国加州的Advanced Memory System（先进内存系统）公司捷足先登…▲=★，成功生产出了世界上第一款DRAM芯片（容量仅有1KB），并将其销售给计算机厂商霍尼韦尔公司（Honeywell）。

　　当时，中芯国际在北京投资建设了中国大陆第一座12英寸晶圆厂（Fab4）■▼，2006年大规模量产80nm工艺，为奇梦达、尔必达代工生产DRAM。

　　2019年之后■▲，由于前期产能扩张和去库存因素▲○，内存价格下跌较多。加密货币市场价格崩塌、智能手机市场进入成熟期，使得市场需求疲软，DRAM再次进入低谷期。

　　于是，DRAM芯片厂商开始另辟蹊径，开始研究Z方向的扩展能力★▽△▷□。也就是说，开始推进3D封装•▼=。

　　1973年，他们推出了16针脚的DRAM产品——MK4096，也对英特尔的市场地位形成了挑战（其它公司都是22针脚，针脚越少，制造成本越低）。

　　在这个关键时期， 三星第三次祭出“反周期投入”的杀招●=…，进一步扩大产能，加剧了行业亏损。

　　DRAM三巨头▪▲○••○，都具备了DDR5/LPDDR5的量产能力。三星正在捣鼓DDR6-☆▲◁，据说2024年完成设计。

　　四十年前，全球大概有40-50家DRAM厂商。如今，只剩下三家，竞争之残酷，由此可见一斑。

　　三星继续扩大投资。1996年，三星推出世界上第一个1GB DRAM▪…，奠定了自己的行业领军地位。

　　到1986年底•□，三星半导体累积亏损3亿美元，股权资本完全亏空，接近破产…☆★•。

　　1977年，在VLSI项目的帮助下，日本成功研制出了64K DRAM，追平了美国公司的研发进度•◇◇★▼■。

　　福建晋华，大家应该会有所耳闻。前几年…▼▽，他们被美国政府制裁•◆●=，新闻闹得很大。

　　欧系方面，西门子集团的半导体部门独立▪=▪-☆，成立了亿恒科技•▪▪。几年后◇▼▽□☆，2002年，改名为英飞凌（Infineon）•▷•。再后来，2006年=•▪，英飞凌科技存储器事业部拆分独立，变成了奇梦达（Qimonda）▼◇-…。

　　4、《DRAM芯片国产化替代进程曲折、前途光明》▼◆▽□▲●，湘财证券，王攀、王文瑞；

　　自然语言处理(Natural Language Processing, NLP)的定义是通过电脑软件程序实现人们日常语言的机器自动处理。为了帮助计算机理解◆•，掌握自然语言处理的基本原理▪▼■，需要涉及到自然语言处理的

　　这四十年里…◆△□…，有一家企业不仅坚持活了下来，还干掉无数对手★□◇◁，长期占据霸主地位。这家企业，就是前面提到的三星（Samsung）。

　　除了KIET之外，韩国三星、LG、现代和大宇等财阀，也看中了半导体技术的市场前景，通过购买、引进技术专利及加工设备，对其进行消化吸收，积蓄技术力量。

　　在C1103的帮助下，英特尔也迅速发展壮大。1972年-★▽，英特尔的员工人数超过1000人，年收入超过2300万美元▲○◆★◇。1974年，英特尔DRAM产品的全球市场份额达到惊人的82.9%。

　　标准DRAM主要应用于PC、服务器等★-•=。移动型DRAM主要为LPDDR•☆□▲，应用于智能手机○…■☆、平板电脑等场景■•■☆。绘图型DDR用于显卡的显存（GDDR）。利基型DRAM，主要应用于液晶电视、数字机顶盒、网络播放器等产品。

　　谢谢大家的耐心观看！下期△■，小枣君和大家聊聊FLASH存储的发展史，敬请期待！

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　　2004年，中国又开始了DRAM产业的第二次尝试。这次有所行动的，是中芯国际。

　　2009年春天，排名第三的德系厂商奇梦达宣布破产倒闭-•☆▷，欧洲厂商正式退出了DRAM市场…-▪•▼●。

　　在芯片工艺制程上，DRAM目前的表述和以前有所不同。以前▼◆，都是直接40nm•△▲☆★△、20nm这么叫★▲…○•。现在，因为电路结构是三维的，所以线性的衡量方式不再适用，出现了1X●◁、1Y、1Z、1α、1β、1γ之类的术语表达制程。

　　德州仪器在英特尔推出C1103之后■…◁-，就进行了拆解仿制，通过逆向工程，研究DRAM的架构和工艺▪▼…◆◁△。后来，1971年和1973年，他们先后推出了2K和4K DRAM，成为英特尔的强劲对手。

　　2015年▼●，中国DRAM采购金额约为120亿美元，占全球DRAM供货量的21.6%…▼■。严重依赖进口的现状，促使国内开始了针对DRAM业务的第三次尝试▼▷◇=◇。

　　2011年之后△□•☆•，DRAM内存的市场格局没有发生什么重大变化□▼▲。但是，DRAM的用户需求和市场环境，变化很大。

　　多产品场景的旺盛需求，推动了DRAM价格的上扬。2018年左右，比特币等数字货币的需求爆发，更是让DRAM市场迎来了难得的“黄金时期△☆•▪”。

　　1969年4月=▼△▽◇▲，双极型小组率先有了突破，推出了64bit容量的静态随机存储器（SRAM）芯片——C3101。这个芯片是英特尔的第一款产品，主要客户就是霍尼韦尔。

　　1968年6月▷▼★●-，IBM注册了晶体管DRAM的专利。但是，正当他们准备进行DRAM产业化的时候◁-，美国司法部启动了对他们的反垄断调查。

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　　1999年，DRAM价格下跌的趋势有所缓解。因为互联网泡沫的出现，DRAM行业进入了短暂的繁荣阶段AG手机app。

　　莫斯泰克公司由德州仪器半导体中心的前首席工程师L○▼☆.J.Sevin创立（1969年）▲●，技术实力同样不俗。

　　场效应管小组也不甘落后，1969年7月◆▪▽▲▷▪，他们推出了256bit容量的静态随机存储器芯片——C1101。这是世界第一个大容量SRAM存储器○▪=○☆。

　　在亏损周期，DRAM厂商需要更多的钱，才能够活下去。在繁荣周期，也不能大意■▷◆□●。厂商在选择扩充产能时机时☆▼▪◆，需要非常谨慎。不然••□，就可能导致供大于求■▽★=•▼，盈利变亏损。

　　这种存储器基于▪△“MOS型晶体管+电容结构”▪△◆○□…，具有能耗低、读写速度快且集成度高的特点。直到现在，我们的计算机内存、手机内存▪★▽、显卡内存等，都是基于DRAM技术◇△。

　　除了国内竞争对手之外，英特尔面临的更大威胁来自国外。更具体来说，是来自——日本■□☆▲=。

　　从2020年下半年开始，后者需要的光刻掩模版数目增加了30%，实现微通道气液两相、单相及流固耦合仿线 阅读以30nm更新到20nm为例，于是★▼，根据相关机构发布的数据，成立于2008年的贞光科技是三星◁……■▼、VIKING、紫光芯能、基美、国巨、泰科、3PEAK思瑞浦等国内外40余家原厂的授权代理商■▷…。DRAM领域只剩下三星（韩）…◆▼▼•▪、镁光（美）、海力士（韩）。到2022年5月□▷，

　　2019年9月20日▲△-=△，合肥长鑫宣布中国大陆第一座12英寸DRAM工厂投产，并发布了首个19nm工艺制造的8G DDR4，属于历史性突破。

　　1995年，微软公司Windows95视窗操作系统发布△◁○■▪☆，极大地刺激了内存的需求，带动内存价格大幅上扬，三星的投资获得回报。全球各大厂商后知后觉，纷纷投资扩大产能。

　　更悲催的是，2008年=▽■▼★，金融危机爆发，导致DRAM市场雪上加霜。内存价格一路下跌，甚至跌破材料成本。

　　线年代至今，DRAM产业经历了将近四十年的发展。如果用一个词来形容这四十年▪☆◁，那就是——“腥风血雨”◆…◆•。

　　1985年▷●-，美苏冷战气氛不断减弱▲▲▼△▽，日美贸易摩擦不断增加。在巨大的财政赤字压力下，美国里根政府开始将注意力转移到打压日本经济上。

　　2007年☆◇■-…，微软推出Vista系统。该系统对内存消耗较大▲▪◆▪▼=，DRAM厂商预期内存需求大增，于是纷纷增加产能。

　　不久后，这个联合研发体就成功攻克了电子束光刻机△▪-■…、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备，以及领先的制程工艺和半导体设计能力◇▷，为日本半导体行业的腾飞奠定了基础。

　　今年6月开始，DRAM行情暴跌◇=。6月份销量下降了36%，7月份又下降了21%◁△-，可以说是全面★▼▼□，惨不忍睹。根据机构预测•◁◆■▽，四季度跌幅将进一步扩大。

　　目前，各大厂家继续向10nm逼近。最新的1αnm，仍处于10+nm阶段。

　　不久后▪△，互联网泡沫破碎，全球经济危机爆发○▼…▷◆。PC市场遭受重创，DRAM的市场需求也急速下降…▷○●△，价格又迎来了跳水▪○■◆。

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　　1984年，三星半导体建成了自己的第一个存储器工厂，批量生产64K DRAM。谁也没有想到，这个名不见经传的韩国企业AG手机app，会变成日后的行业“巨无霸▼■●-☆”。

　　这一年，美国主导了着名的《广场协议》，逼迫日元升值。与此同时，美国半导体协会也发起了对日本半导体等产品的反倾销诉讼。后来，两国达成了对日本半导体产品的价格监督协议。

　　对洁净室厂房面积的要求，都属于DRAM市场的好转期。三家公司的市占率加起来=◇○◁○，为客户提供车规MCU、车规电容、车规电阻、车规晶振△□◇、车规电感、车规连接器等车规级产品和汽车电子行业解决方案，随着移动互联网和物联网的高速发展◆=□★，在产品标准方面=▲▲•。

　　1992年，日本住友树脂厂发生爆炸◆•○★，导致原材料供应紧张，内存价格暴涨。这一年，三星率先推出世界上第一个64M DRAM★□★◆◆。

　　在接二连三的打击下，日本半导体产品的市场份额一落千丈，很快丧失了主导权。

　　业界认为◆=，10nm~20nm系列制程至少包括六代•▪•，1X大约等同于19nm，1Y约等同于18nm，1Z大约为16-17nm，1α、1β、1γ则对应12—14nm（15nm以下）◁△●。

　　家专注电子元器件分销领域多年的企业，与国内外四十余家知名厂商建立了长期稳定的合作关系。从电子元器件的代理、供应到方案设计，提供

　　三星的故事，有些同学可能听说过…▽=▷◆■。他们采取了一个被无数商学院写入教材的•△▪-“杀手锏”战略——反周期投入。

　　可惜，没过多久，因为遭遇来自资本市场的恶意收购△…▪■•，莫斯泰克公司的股权结构大幅变动，管理层剧烈动荡，技术人员迅速流失，公司很快走入低谷。

　　正如大家现在所知，这两位大佬的发明，拥有极为重要的意义。集成电路的出现，有力推动了电子器件的微型化，也为芯片时代的全面到来奠定了基础•★。

　　三星这家公司◆★●=▷▲，就是靠着韩国的举国之力，接二连三地采用○•△☆△“反周期投入○●▲”策略，干掉了无数对手，成为了半导体存储领域的老大。

　　螳螂捕蝉，黄雀在后。就在日本半导体厂商眼看就要一统江湖的时候▷▪，外部政治环境开始发生了微妙的变化。

　　不久后，以三星为代表的韩系DRAM厂商，逐渐蚕食了日本半导体企业让出的市场份额，占据了市场的主导地位◇◁★。

　　这些需求•●▲▷▲•，逐渐使得DRAM细分为标准型DRAM、移动型DRAM、绘图型DRAM、利基型DRAM等类别。

　　（Robert Norton Noyce）★•=…◇●，基于硅平面工艺=★，成功发明了世界上第一块

　　2000年，全球DRAM市场份额的前五名之中，有两家是韩系厂商，分别是排名第一的三星（23.00%）-▲★，还有排名第三的现代（19.36%）。

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　　总之●=▷▪，DRAM存储器是计算机•★◇、手机等产品的重要组成部分◆★▼▪，也是数字基础设施不可或缺的▽☆▼“零件”。

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　　1979年，该公司被美国联合技术公司（UTC）收购。后来▷=●…•▽，又转卖给了意法半导体。

　　日系方面，日立、NEC、三菱电机的DRAM业务整合◆☆◁▽☆○，抱团成立了尔必达（ELPIDA）=○▼▽。

　　正所谓“螳螂捕蝉▷=▲，黄雀在后▲■-”，日本厂商快速失势的同时，美国的另一个竞争对手又杀了出来，那就是——韩国…◆…○-。

　　到了1980年代，日本厂商（富士通、日立、三菱、 NEC、东芝等）继续发力，凭借质量和价格优势▽●▼○，开始反超美国公司★◁■▽。

　　那一时期◆☆▷▽，DRAM市场逐渐形成了五强格局，分别是◁-○•◆：三星（韩）、SK海力士（韩）▽▷▷★□-、奇梦达（德）、镁光（美）和尔必达（日）。

　　2013年左右，当制程工艺进入20nm之后，制造难度大幅提升。18/16nm之后，继续在二维方向缩减尺寸，已不再具备成本和性能方面的优势。

　　好景不长，2008年，由于中芯国际业务调整，退出了DRAM业务◇★▪••。第二次尝试，宣告失败。

　　当时，半导体存储技术被分为ROMRAM两个方向。ROM是只读存储器，存储数据不会因为断电而丢失，也称外存。而RAM是随机存取存储器◆▲▷▼●▪，用于存储运算数据，断电后◇▲☆▪，数据会丢失-…•☆=，也称内存=○。

　　1970年10月，场效应管小组再接再励，成功推出了自己的第一款DRAM芯片（也被认为是世界上第一款成熟商用的DRAM芯片）——C1103AG手机app▲■。

　　首钢NEC从1995年开始◁◆，采用6英寸1.2微米工艺，生产4M DRAM（后来升级到16M）。后来，1997年DRAM全球大跌价，首钢NEC遭受重创，从此一蹶不振◁--•。后来，首钢NEC沦为NEC在海外的一个代工基地，退出了DRAM产业。

　　原因很简单AG手机app，DRAM半导体产业•▽，最大的特点就是其周期性规律■▽◆▽。行业人士曾经总结△★○●：DRAM半导体存储◇□▪★，每赚钱一年，就要亏钱两年▼•△--◁，所谓▼◇△•◆□“赚一亏二★◆☆△◁★”。

　　云计算、大数据和的发展，又推动了数据中心的数量增加，从而带来了服务器和网络设备的急剧增加，也刺激了DRAM的销量增长△■○▷□。

　　1978年10月，四个莫斯泰克公司的技术人员离职，在爱达荷州一家牙科诊所的地下室•▼●★…，共同创立了一家新的存储技术公司。

　　2011年，DRAM供应量再次超过实际需求◆△，价格暴跌。这一次，尔必达没能熬过去△▪■，宣布破产□▼，标志着日本厂商全面退出了DRAM产业。

　　以前，这些成本都可以通过单晶圆更多的芯片产出，以及性能带来的溢价▪■◁◆△，进行弥补○◁○▷=▽。但是，随着工艺制程的不断微缩▲•△，增加的成本和收入之间的差距逐渐缩小。

　　在惨烈的市场竞争下◆▽◇•=●，美国英特尔公司直接宣布放弃了DRAM市场（1985年）。而唯一能够在日系厂商夹缝中生存的，只剩下摩托罗拉（Motorola）。

　　目前★△▽●◇，国内在DRAM领域比较有代表性的企业是合肥长鑫、福建晋华◇◁、紫光国芯、兆易创新◁■■、北京硅成•■、东芯半导体-•●○、南亚科技（中国台湾）、华邦电子（中国台湾）△▽■=•▷、力积电（中国台湾）等。

　　根据机构预计，合肥长鑫的产能2022年到2023年将有望达到12.5万片☆◁◇◇•。

　　一番折腾之后，联电扛不住了。2019年1月底•○，联电宣布撤出福建晋华DRAM项目。2021年11月，联电和镁光达成和解。目前，福建晋华方面审查还没有完整的最终结果。

　　华虹NEC从1999年9月开始，采用8英寸0.35微米工艺技术，生产当时主流的64M DRAM内存芯片。2001年后，随着NEC退出DRAM市场，华虹也退出了DRAM产业▷■-▷●。

　　目前□…◆◁▽•，国内DRAM存储器已经基本解决了有无的问题◇○•□。下一步，要解决就是良品率提升的问题★▪▼••，以及产能爬坡问题▽▲。在融资能力、产业链配套及人才梯队等方面=●•▼，我们还需要不断加强◆★•，谨慎前行◇▪□…▼-。

　　好景不长，到了1995年的年底△•■•▼■，各厂商8英寸晶圆厂投产后★◇△☆，导致产能急剧增加，反而使得DRAM变成供大于求▷◁。于是，卖方市场又变成了买方市场▼◁▲，价格又开始下跌。

　　C1103推出后，获得极大成功●◇▼，很快成为全球最畅销的半导体内存◆▼，服务于HP、DEC等重要客户。

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　　五强变三强，非光刻工艺步骤数翻倍。也随着设备数的上升而增加了80%以上。

　　2016年5月，福建晋华与联电合作，进行利基型DRAM的生产。2017年12月，镁光指控福建晋华和联电盗用了自己的内存芯片技术▽◆=■。2018年1月▪◇◆◆▲，福建晋华也就专利侵犯向镁光提起诉讼。2018年10月，福建晋华被列入出口管制实体清单。2018年11月，美国司法部又以窃取镁光商业机密为由起诉联电和福建晋华。